طیف سنجی جرمی تخلیه تابش

  طیف سنجی جرمی تخلیه تابش ((Glow Discharge Mass Spectrometry (GD-MS)) ترکیبی از روش تخلیه تابش و  طیف سنجی جرمی است. اساس  این روش مشابه طیف سنجی نشر اتمی تخلیه تابش (GD-AES) است با این تفاوت که در طیف سنجی نشر اتمی فوتون های نشری اتم برای اندازه گیری استفاده می شود ولی در طیف سنجی جرمی m/z اتم ها جهت شناسایی کمی و کیفی آنها به کار می رود.

   طیف سنجی جرمی تخلیه تابش حساس ترین روش در دسترس برای آنالیز توده (bulk) نمونه است. ضمن این که این روش، روش ارجح آنالیزی برای تائیدیه (certification) مواد با خلوص بالا مانند نیمه هادی ها است. آماده سازی نمونه مشابه روش طیف سنجی نشر اتمی تخلیه تابش  (Glow Discharge Spectrometer, GD-AES) است یعنی برای آنالیز مواد و جامدات رسانا کاربرد دارد. اما با اضافه کردن پودر گرافیت یا مس به نمونه که سبب رسانایی نمونه می شود، آنالیز نمونه های غیررسانا نیز میسر می گردد. مشابه ICP/MS دو تجزیه گر جرمی چهارقطبی (Quadropole) و تجزیه گر قطاع مغناطیسی تمرکز دوگانه (Double-Focusing Magnetic Sector) در این روش استفاده می شوند. تجزیه گر قطاع مغناطیسی تمرکز دوگانه که از دو میدان الکترواستاتیکی و مغناطیسی برای جداسازی یون ها استفاده می کند و در نتیجه قدرت تفکیک بسیار بالاتری دارد. یکی از مزیت های مهم این دستگاه امکان آنالیز کامل تمام عناصر است.

نکات آنالیزی

  • اندازه گیری کمی و کیفی از توده (Bulk) نمونه جامد
  • آنالیز انواع نمونه های فلزی، آلیاژها، گرافیت، سرامیک، مواد الکترونیکی و ..
  • تعیین پروفایل مقادیر جزئی (trace) و بسیار جزئی (ultra-trace) در فیلم لایه های نازک و پوشش های سطح
  • اندازه گیری کمی و کیفی عناصر N, O, C
  • حد تشخیص پایین تر از ppb یا (ng/mL)
  • اثرات کم ماتریس قابل اعتماد و گستره خطی مناسب
  • نمونه باید مقاومت کافی در برابر خلاء بالا را داشته باشد.
  • برای مواد آلی و پلیمرها مناسب نیست.

زمینه های کاربردی

  • کنترل کیفی در تولید مواد با خلوص بالا
  • هوافضا
  • در تولید مواد الکترونیکی، آلیاژها و فلزات دیرگداز
  • آنالیز فلزات کمیاب و اکسید آنها